本書是模擬CMOS集成電路設計方面的經典教材,介紹模擬CMOS集成電路的分析與設計,著重講解該技術的新進展和設計實例,從MOSFET器件的基本物理特性開始,逐章分析CMOS放大單元電路、差分放大器、頻率響應、噪聲、反饋放大器與穩(wěn)定性、運算放大器、電壓基準源與電流基源、離散時間系統(tǒng)、差分電路及反饋系統(tǒng)中的非線性、振蕩器和鎖相環(huán)等基礎模擬電路的分析與設計。本書還介紹了集成電路的基本制造工藝、版圖和封裝設計的基本原則。本書自出版以來得到了國內外讀者的好評和青睞,被許多國際知名大學選為教科書。同時,由于原著者在世界知名公司的豐富研究經歷,使本書也非常適合作為CMOS模擬集成電路設計或相關領域的研究人員和工程技術人員的參考書。