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自旋電子科學(xué)與技術(shù)

自旋電子科學(xué)與技術(shù)

定 價(jià):¥188.00

作 者: 趙巍勝 張博宇 彭守仲
出版社: 人民郵電出版社
叢編項(xiàng):
標(biāo) 簽: 暫缺

ISBN: 9787115584038 出版時(shí)間: 2022-04-01 包裝: 平裝-膠訂
開本: 128開 頁數(shù): 448 字?jǐn)?shù):  

內(nèi)容簡(jiǎn)介

  自旋電子學(xué)是凝聚態(tài)物理學(xué)、物理電子學(xué)、微電子學(xué)、固體電子學(xué)等多學(xué)科交叉的一門新興學(xué)科,目前已經(jīng)成為信息科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。利用對(duì)電子自旋屬性的控制以及電子自旋的諸多效應(yīng)可以設(shè)計(jì)電子器件。例如,基于巨磁阻效應(yīng)的自旋電子器件在硬盤上作為磁頭的廣泛使用,使硬盤容量在過去20年的增長超過10萬倍,巨磁阻效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)者法國科 學(xué)家阿爾貝·費(fèi)爾(Albert Fert)和德國科 學(xué)家彼得·格林貝格(Peter Grünberg)也因此于2007年被授予諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。本書基于自旋電子學(xué)領(lǐng)域近15年快速發(fā)展所取得的重要研究成果,力求前瞻性和系統(tǒng)性,內(nèi)容涵蓋從物理機(jī)理到電子器件、從特種設(shè)備到加工工藝、從芯片設(shè)計(jì)到應(yīng)用場(chǎng)景的相關(guān)知識(shí)。全書共14章,主要包括自旋電子的起源及發(fā)展歷程、巨磁阻效應(yīng)及器件、隧穿磁阻效應(yīng)及器件、自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)及器件、自旋軌道矩效應(yīng)及器件、自旋納米振蕩器、斯格明子、自旋芯片電路設(shè)計(jì)及仿真、自旋芯片特種設(shè)備及工藝、自旋芯片測(cè)試及表征技術(shù)、磁傳感芯片及應(yīng)用、大容量磁記錄技術(shù)、磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片及應(yīng)用和自旋計(jì)算器件與芯片。本書可作為高等學(xué)校自旋電子學(xué)相關(guān)專業(yè)的研究生和本科生教材,也可作為自旋電子學(xué)相關(guān)領(lǐng)域的科研工作者的重要參考資料。

作者簡(jiǎn)介

  趙巍勝 2007年獲法國南巴黎大學(xué)物理學(xué)博士,2009年獲法國國家科學(xué)院研究員與法國南巴黎大學(xué)客座教授,博士生導(dǎo)師,負(fù)責(zé)法國科學(xué)院基礎(chǔ)電子研究所的自旋電子器件設(shè)計(jì)及建模團(tuán)隊(duì), 2013年入職北京航空航天大學(xué),10月組建自旋電子交叉學(xué)科研究中心,2014年與諾貝爾獎(jiǎng)得主費(fèi)爾教授共同組建費(fèi)爾北京研究院并擔(dān)任院長??仗煨抛孕娮又攸c(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任(2019年起),北航集成電路科學(xué)與工程學(xué)院院長,第九屆北航校學(xué)術(shù)委員會(huì)委員。IEEE Fellow,擔(dān)任IEEE電路與系統(tǒng)旗艦期刊IEEE Transactions on Circuits and Systems-I 總主編(2020年起),2021年起擔(dān)任IEEE Fellow Selection Committee委員。2019年獲中國電子學(xué)會(huì)優(yōu) 秀科技工作者,2019年中國電子學(xué)會(huì)自然科學(xué)二等獎(jiǎng)。

圖書目錄

第 1章 自旋電子的起源及發(fā)展歷程
1.1 自旋電子的起源
1.1.1 電子的發(fā)現(xiàn)
1.1.2 電子自旋的發(fā)現(xiàn)
1.1.3 磁性與自旋
1.2 自旋電子的發(fā)展歷程
1.2.1 自旋電子的早期應(yīng)用
1.2.2 自旋電子的大規(guī)模應(yīng)用
1.2.3 自旋芯片的發(fā)展
1.3 本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第 2章 巨磁阻效應(yīng)及器件
2.1 巨磁阻效應(yīng)原理
2.1.1 巨磁阻效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)
2.1.2 巨磁阻效應(yīng)的理論模型
2.2 巨磁阻效應(yīng)器件
2.2.1 自旋閥器件
2.2.2 電流垂直于平面型器件
2.3 本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第3章 隧穿磁阻效應(yīng)及器件
3.1 隧穿磁阻效應(yīng)
3.1.1 隧穿磁阻效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)
3.1.2 隧穿磁阻效應(yīng)的理論模型
3.2 面內(nèi)磁各向異性磁隧道結(jié)器件
3.2.1 磁各向異性的機(jī)理
3.2.2 基于Al-O勢(shì)壘的磁隧道結(jié)
3.2.3 基于MgO勢(shì)壘的磁隧道結(jié)
3.2.4 面內(nèi)磁各向異性磁隧道結(jié)基本結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)化
3.3 垂直磁各向異性磁隧道結(jié)器件
3.3.1 垂直磁各向異性的發(fā)展
3.3.2 垂直磁各向異性磁隧道結(jié)基本結(jié)構(gòu)及性能優(yōu)化
3.4 本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第4章 自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)及器件
4.1 自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)
4.1.1 磁動(dòng)力學(xué)原理及其發(fā)展歷程
4.1.2 自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的原理
4.1.2 自旋轉(zhuǎn)移矩效應(yīng)的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
4.2 自旋轉(zhuǎn)移矩器件
4.2.1 基于面內(nèi)磁各向異性的磁隧道結(jié)
4.2.2 基于垂直磁各向異性的磁隧道結(jié)
4.2.3 新型自旋轉(zhuǎn)移矩器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化
4.3 本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第5章 自旋軌道矩效應(yīng)及器件
5.1 自旋軌道矩效應(yīng)
5.1.1 自旋軌道耦合
5.1.2 自旋霍爾效應(yīng)
5.1.3 Rashba-Edelstein效應(yīng)
5.1.4 自旋軌道矩翻轉(zhuǎn)的微觀機(jī)理
5.1.5 自旋軌道矩與自旋轉(zhuǎn)移矩的協(xié)同效應(yīng)
5.2 自旋軌道矩器件的關(guān)鍵材料
5.2.1 非磁性重金屬
5.2.2 反鐵磁性金屬
5.2.3 拓?fù)浣^緣體
5.3 自旋軌道矩器件
5.3.1 面內(nèi)磁各向異性自旋軌道矩器件
5.3.2 面內(nèi)雜散場(chǎng)輔助的自旋軌道矩器件
5.3.3 交換偏置場(chǎng)輔助的自旋軌道矩器件
5.3.4 自旋軌道矩與自旋轉(zhuǎn)移矩協(xié)同器件
5.3.5 自旋軌道矩與電壓調(diào)控磁各向異性協(xié)同器件
5.4 本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第6章 自旋納米振蕩器
6.1 自旋納米振蕩器的基本知識(shí)
6.1.1 自旋納米振蕩器的物理機(jī)理
6.1.2 自旋納米振蕩器的基本結(jié)構(gòu)
6.1.3 自旋納米振蕩器的振蕩模式
6.2 自旋納米振蕩器的工作原理
6.2.1 自旋納米振蕩器的基礎(chǔ)性能
6.2.2 自旋納米振蕩器的同步特性
6.3 基于自旋納米振蕩器的潛在應(yīng)用
6.2.1 基于自旋納米振蕩器的類腦計(jì)算
6.2.2 基于自旋納米振蕩器的其他潛在應(yīng)用
6.4 自旋納米振蕩器存在的問題與解決方案
6.4.1 自旋納米振蕩器的性能瓶頸
6.4.2 自旋納米振蕩器集成電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜性
6.5 本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第7章 斯格明子
7.1 斯格明子背景介紹
7.1.1 斯格明子的定義與拓?fù)浞€(wěn)定性
7.1.2 斯格明子的發(fā)現(xiàn)過程
7.1.3 斯格明子的研究意義
7.2 斯格明子的研究方法
7.2.1 斯格明子的微磁學(xué)仿真計(jì)算
7.2.2 斯格明子表征的相關(guān)實(shí)驗(yàn)技術(shù)
7.3 斯格明子的材料體系
7.3.1 手性磁體
7.3.2 磁性薄膜
7.3.3 二維范德瓦爾斯材料
7.4 斯格明子電子學(xué)的物理基礎(chǔ)
7.4.1 斯格明子的產(chǎn)生
7.4.2 斯格明子的輸運(yùn)
7.4.3 斯格明子的檢測(cè)
7.5 斯格明子電子器件概念及應(yīng)用
7.5.1 基于斯格明子的傳統(tǒng)器件
7.5.2 基于斯格明子的新型計(jì)算器件
7.6 斯格明子電子學(xué)未來的發(fā)展與挑戰(zhàn)
7.7 本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第8章 自旋芯片電路設(shè)計(jì)及仿真
8.1 自旋電子器件建模與驗(yàn)證
8.1.1 物理模塊
8.1.2 模型構(gòu)架
8.1.3 模型仿真驗(yàn)證
8.2 自旋電子器件工藝設(shè)計(jì)包
8.2.1 器件單元庫
8.2.2 工藝文件
8.2.3 版圖驗(yàn)證文件
8.2.4 標(biāo)準(zhǔn)單元庫
8.3 1 KB磁存儲(chǔ)器電路的設(shè)計(jì)與仿真驗(yàn)證
8.3.1 系統(tǒng)架構(gòu)
8.3.2 核心模塊電路
8.3.3 功能仿真驗(yàn)證
8.4 本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第9章 自旋芯片特種設(shè)備及工藝
9.1 器件制備工藝概述
9.1.1 巨磁阻器件制備工藝
9.1.2 磁隧道結(jié)器件制備工藝
9.2膜堆制備設(shè)備及工藝
9.2.1超高真空磁控濺射設(shè)備及工藝
9.2.2磁場(chǎng)退火設(shè)備及工藝
9.3圖形轉(zhuǎn)移設(shè)備及工藝
9.3.1光刻設(shè)備及工藝
9.3.2刻蝕設(shè)備及工藝
9.4器件片上集成工藝
9.4.1 磁隧道結(jié)前處理工藝
9.4.2 磁隧道結(jié)后處理工藝
9.5 本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第 10章 自旋芯片測(cè)試及表征技術(shù)
10.1 磁性表征
10.1.1 磁強(qiáng)計(jì)
10.1.2 磁光克爾測(cè)量儀
10.1.3 鐵磁共振表征技術(shù)
10.1.4 時(shí)間分辨磁光克爾測(cè)量儀
10.1.5 磁光克爾顯微成像及磁疇動(dòng)力學(xué)表征
10.1.6 布里淵光散射裝置
10.1.7 X射線磁圓二色譜
10.2 自旋電子學(xué)表征技術(shù)
10.2.1 自旋輸運(yùn)測(cè)試
10.2.2 磁動(dòng)態(tài)超快電學(xué)特性表征技術(shù)
10.2.3 自旋電子器件中的磁疇動(dòng)力學(xué)表征
10.3 自旋芯片表征
10.3.1 晶圓級(jí)多維度磁場(chǎng)探針臺(tái)
10.3.2 電流面內(nèi)隧穿測(cè)試儀
10.4 本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第 11章 磁傳感芯片及應(yīng)用
11.1 磁傳感芯片基礎(chǔ)
11.1.1 傳感單元
11.1.2 惠斯通電橋結(jié)構(gòu)
11.1.3 傳感器電路
11.2 磁傳感芯片中的噪聲
11.2.1 噪聲來源
11.2.2 降噪方法
11.3 磁傳感芯片應(yīng)用
11.3.1 電子羅盤
11.3.2 轉(zhuǎn)速檢測(cè)
11.3.3 電流檢測(cè)
11.3.4 生物醫(yī)學(xué)檢測(cè)
11.4 本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第 12章 大容量磁記錄技術(shù)
12.1 硬盤存儲(chǔ)技術(shù)的發(fā)展
12.1.1 水平磁記錄與垂直磁記錄
12.1.2 硬盤磁頭
12.1.3 大容量存儲(chǔ)面臨的挑戰(zhàn)
12.2 微波輔助磁記錄
12.2.1 微波輔助磁翻轉(zhuǎn)效應(yīng)
12.2.2 磁記錄系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)
12.2.3 磁記錄系統(tǒng)的設(shè)計(jì)及優(yōu)化
12.3 熱輔助磁記錄
12.3.1 熱輔助磁記錄基本原理
12.3.2 磁記錄系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)
12.3.3 磁記錄系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與優(yōu)化
12.4 本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第 13章 磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片及應(yīng)用
13.1磁隨機(jī)存儲(chǔ)器的發(fā)展及現(xiàn)狀
13.2磁場(chǎng)寫入磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片
13.2.1磁場(chǎng)寫入方法及原理
13.2.2主要應(yīng)用場(chǎng)景
13.2.3發(fā)展現(xiàn)狀與未來展望
13.3 自旋轉(zhuǎn)移矩磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片
13.3.1 發(fā)展歷程
13.3.2 主要應(yīng)用場(chǎng)景
13.3.3 發(fā)展現(xiàn)狀與未來展望
13.4 自旋軌道矩磁隨機(jī)存儲(chǔ)芯片
13.4.1 寫入機(jī)理
13.4.2 設(shè)計(jì)難點(diǎn)
13.4.3 工藝挑戰(zhàn)
13.4.4 現(xiàn)狀與展望
13.5 本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)

第 14章 自旋計(jì)算器件與芯片
14.1 存算一體技術(shù)
14.1.1 存算一體技術(shù)簡(jiǎn)介
14.1.2 存算一體技術(shù)方案與挑戰(zhàn)
14.1.3 自旋存算一體技術(shù)
14.2 自旋類腦器件及芯片
14.2.1 自旋類腦器件
14.2.2 類腦計(jì)算模型
14.2.3 類腦計(jì)算芯片
14.3 磁旋邏輯器件
14.3.1磁旋邏輯器件的基本結(jié)構(gòu)
14.3.2基于磁電耦合效應(yīng)的信息寫入
14.3.3 基于逆自旋霍爾效應(yīng)的信息讀取
14.3.4 磁旋邏輯建模和仿真驗(yàn)證
14.3.5 磁旋邏輯器件展望
14.4 本章小結(jié)
思考題
參考文獻(xiàn)


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