本書以寬禁帶半導體微結(jié)構(gòu)與光電器件光學表征為主線，按照“面向?qū)捊麕О雽w前沿課題，注重先進光電器件與材料微結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)性質(zhì)和過程進行光學表征，以提升寬禁帶半導體光電子器件性能為目的”的原則安排全書內(nèi)容，從應(yīng)用基礎(chǔ)研究和研發(fā)先進光電子器件的角度出發(fā)，組織全國在該領(lǐng)域前沿進行一線科研工作的學者進行編寫，力爭用通俗易懂的語言，由淺入深，系統(tǒng)、詳細地介紹寬禁帶半導體光電器件的微納結(jié)構(gòu)生長、摻雜、受激輻射特性、量子效率測量，以及寬禁帶半導體在紫外探測、微尺寸LED、高效太陽能電池等領(lǐng)域的應(yīng)用，突出前沿和瓶頸問題。 本書可作為高等學校半導體光電子類相關(guān)專業(yè)高年級本科生和研究生的教材或教學參考書，也可作為相關(guān)科研工作者的學習參考書。

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