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	當(dāng)前位置： 首頁(yè)出版圖書(shū)科學(xué)技術(shù)工業(yè)技術(shù)無(wú)線電電子學(xué)、電信技術(shù)半導(dǎo)體干法刻蝕技術(shù)（原書(shū)第2版）

	



    
    

    
半導(dǎo)體干法刻蝕技術(shù)（原書(shū)第2版）

    

	
半導(dǎo)體干法刻蝕技術(shù)（原書(shū)第2版）
	
	

	

	

	
定　價(jià)：￥89.00

	

			
					

						作　者：
						[日] 野尻一男
					

					

						出版社：
						機(jī)械工業(yè)出版社
					

					

						叢編項(xiàng)：
						
					

					

						標(biāo)　簽：
						暫缺
					

				
	
	

    
	

                        
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						ISBN：
						9787111742029
						出版時(shí)間：
						2024-01-01	
                        包裝：
						平裝-膠訂					
					
					
					
					
						開(kāi)本：
						16開(kāi)
						頁(yè)數(shù)：
						
						字?jǐn)?shù)：
						 
					
					
				

        

   

    
    
    
	
	
	
	
內(nèi)容簡(jiǎn)介

	

	
　　《半導(dǎo)體干法刻蝕技術(shù)（原書(shū)第2版）》是一本全面系統(tǒng)的干法刻蝕技術(shù)論著。針對(duì)干法刻蝕技術(shù)，在內(nèi)容上涵蓋了從基礎(chǔ)知識(shí)到最新技術(shù)，使初學(xué)者能夠了解干法刻蝕的機(jī)理，而無(wú)需復(fù)雜的數(shù)值公式或方程?！栋雽?dǎo)體干法刻蝕技術(shù)（原書(shū)第2版）》不僅介紹了半導(dǎo)體器件中所涉及材料的刻蝕工藝，而且對(duì)每種材料的關(guān)鍵刻蝕參數(shù)、對(duì)應(yīng)的等離子體源和刻蝕氣體化學(xué)物質(zhì)進(jìn)行了詳細(xì)解釋?！栋雽?dǎo)體干法刻蝕技術(shù)（原書(shū)第2版）》討論了具體器件制造流程中涉及的干法刻蝕技術(shù)，介紹了半導(dǎo)體廠商實(shí)際使用的刻蝕設(shè)備的類(lèi)型和等離子體產(chǎn)生機(jī)理，例如電容耦合型等離子體、磁控反應(yīng)離子刻蝕、電子回旋共振等離子體和電感耦合型等離子體，并介紹了原子層沉積等新型刻蝕技術(shù)。
	
	
	
   
	
	
	
作者簡(jiǎn)介

	

	
　　野尻一男，1973年于群馬大學(xué)工學(xué)部電子工學(xué)科本科畢業(yè)，1975年于群馬大學(xué)工學(xué)研究科碩士畢業(yè)。1975年加入日立制作所，在半導(dǎo)體事業(yè)部從事CVD、器件集成、干法刻蝕的研究開(kāi)發(fā)；特別是對(duì)ECR等離子刻蝕和充電損傷進(jìn)行了開(kāi)創(chuàng)性研究；作為技術(shù)開(kāi)發(fā)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，他還擔(dān)任過(guò)多個(gè)管理職位。2000年加入泛林集團(tuán)日本公司并擔(dān)任董事兼CTO。2019年，獨(dú)立并作為 Nanotech Research 的代表提供技術(shù)和管理咨詢。1989年因“磁場(chǎng)微波等離子體刻蝕技術(shù)的開(kāi)發(fā)及實(shí)用化”獲得大河內(nèi)紀(jì)念獎(jiǎng)；1994年因“低溫干法刻蝕設(shè)備的開(kāi)發(fā)”獲得日本機(jī)械工業(yè)振興會(huì)通產(chǎn)大臣獎(jiǎng)；獲得2019年度DPS西澤獎(jiǎng)。
	
	
	
	
	
	
圖書(shū)目錄

	

	
譯者序
第2版前言
第1版前言
第1章 半導(dǎo)體集成電路的發(fā)展與干法刻蝕技術(shù) 
1.1　干法刻蝕的概述 
1.2　干法刻蝕的評(píng)價(jià)參數(shù) 
1.3　干法刻蝕在 LSI的高度集成中的作用
參考文獻(xiàn) 
第2章 干法刻蝕的機(jī)理 
2.1　等離子體基礎(chǔ)知識(shí)
2.1.1　什么是等離子體
2.1.2　等離子體的物理量 
2.1.3　等離子體中的碰撞反應(yīng)過(guò)程 
2.2　離子鞘層及離子在離子鞘層中的行為
2.2.1　離子鞘和 Vdc
2.2.2　離子鞘層中的離子散射 
2.3　刻蝕工藝的設(shè)置方法 
2.3.1　干法刻蝕的反應(yīng)過(guò)程 
2.3.2　各向異性刻蝕的機(jī)理
2.3.3　側(cè)壁保護(hù)工藝 
2.3.4　刻蝕速率 
2.3.5　選擇比
2.3.6　總結(jié) 
參考文獻(xiàn) 
第3章 各種材料刻蝕 
3.1　柵極刻蝕 
3.1.1　多晶硅的柵極刻蝕 
3.1.2　CD的晶圓面內(nèi)均勻性控制 
3.1.3　WSi2/多晶硅的柵極刻蝕 
3.1.4　W/WN/多晶硅的柵極刻蝕 
3.1.5　Si襯底刻蝕 
3.2　SiO2刻蝕 
3.2.1　SiO2刻蝕機(jī)理 
3.2.2　SiO2刻蝕的關(guān)鍵參數(shù) 
3.2.3　SAC刻蝕 
3.2.4　側(cè)墻刻蝕 
3.3　布線刻蝕 
3.3.1　Al布線刻蝕 
3.3.2　Al布線的防后腐蝕處理技術(shù) 
3.3.3　其他布線材料的刻蝕 
3.4　總結(jié) 
參考文獻(xiàn) 
第4章 干法刻蝕設(shè)備 
4.1　干法刻蝕設(shè)備的歷史 
4.2　桶式等離子體刻蝕機(jī) 
4.3　CCP等離子體刻蝕機(jī) 
4.4　磁控管 RIE 
4.5　ECR等離子體刻蝕機(jī) 
4.6　ICP等離子體刻蝕機(jī) 
4.7　干法刻蝕設(shè)備實(shí)例
4.8　靜電卡盤(pán)
4.8.1　靜電卡盤(pán)的種類(lèi)及吸附原理 
4.8.2　晶圓溫度控制的原理
參考文獻(xiàn)
第 5章　干法刻蝕損傷 
5.1　Si表面層引入的損傷
5.2　電荷積累損傷 
5.2.1　電荷積累損傷的評(píng)估方法 
5.2.2　產(chǎn)生電荷積累的機(jī)理 
5.2.3　各種刻蝕設(shè)備的電荷積累評(píng)估及其降低方法 
5.2.4　等離子體處理中柵氧化膜擊穿的機(jī)理 
5.2.5　因圖形導(dǎo)致的柵氧化膜擊穿 
5.2.6　溫度對(duì)柵氧化膜擊穿的影響 
5.2.7　基于器件設(shè)計(jì)規(guī)則的電荷積累損傷對(duì)策 
參考文獻(xiàn) 
第6章　新的刻蝕技術(shù) 
6.1　Cu大馬士革刻蝕 
6.2　Low-k刻蝕 
6.3　使用多孔 Low-k的大馬士革布線 
6.4　金屬柵極 /High-k刻蝕 
6.5　FinFET刻蝕 
6.6　多重圖形化 
6.6.1　SADP 
6.6.2　SAQP
6.7　用于 3D NAND/DRAM的高深寬比孔刻蝕技術(shù) 
6.8　用于 3D IC的刻蝕技術(shù) 
參考文獻(xiàn) 
第 7章　原子層刻蝕（ALE） 
7.1　ALE的原理 
7.2　ALE的特性 
7.2.1　Si、GaN和 W的 ALE工藝順序 
7.2.2　自限性反應(yīng) 
7.2.3　去除步驟中 EPC的離子能量依賴性 
7.2.4　表面平坦度 
7.3　ALE的協(xié)同效應(yīng) 
7.4　影響 EPC和濺射閾值的參數(shù) 
7.5　SiO2 ALE 
7.6　總結(jié)
參考文獻(xiàn) 
第 8章　未來(lái)的挑戰(zhàn)和展望 
8.1　干法刻蝕技術(shù)革新 
8.2　今后的課題和展望 
8.3　工程師的準(zhǔn)備工作 
參考文獻(xiàn) 
	
	

	

    
       
    
	
	

   

   

   

    
   

   
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