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低維納米材料熱輸運(yùn)性能的分子動(dòng)力學(xué)模擬

低維納米材料熱輸運(yùn)性能的分子動(dòng)力學(xué)模擬

定 價(jià):¥69.00

作 者: 董海寬
出版社: 冶金工業(yè)出版社
叢編項(xiàng):
標(biāo) 簽: 暫缺

ISBN: 9787502496241 出版時(shí)間: 2023-08-01 包裝: 平裝
開本: 16開 頁數(shù): 107 字?jǐn)?shù):  

內(nèi)容簡(jiǎn)介

  本書系統(tǒng)介紹了低維納米材料熱輸運(yùn)性能的分子動(dòng)力學(xué)模擬方法,及其在一些具有代表性的低維納米材料中的應(yīng)用,如碳納米管、石墨烯、二維材料等。主要內(nèi)容包括:低維納米材料熱輸運(yùn)性能及相關(guān)理論,分子動(dòng)力學(xué)模擬的基礎(chǔ)知識(shí),分子動(dòng)力學(xué)模擬熱輸運(yùn)方法及應(yīng)用,幾種具有代表性的復(fù)雜結(jié)構(gòu)的熱輸運(yùn)性能,以及機(jī)器學(xué)習(xí)勢(shì)在熱輸運(yùn)領(lǐng)域的應(yīng)用。本書的目標(biāo)讀者包括物理學(xué)、化學(xué)、材料科學(xué)及工程等領(lǐng)域的研究人員和工程師,以及對(duì)微納米尺度傳熱問題感興趣的科研人員及高校師生。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《低維納米材料熱輸運(yùn)性能的分子動(dòng)力學(xué)模擬》作者簡(jiǎn)介

圖書目錄

1 緒論
1.1 低維納米材料及其優(yōu)異性能
1.2 低維納米材料的熱輸運(yùn)性能
1.2.1 晶格振動(dòng)和聲子
1.2.2 晶格熱導(dǎo)率
1.3 低維納米材料的熱輸運(yùn)模擬
1.3.1 熱輸運(yùn)模擬方法
1.3.2 低維納米材料熱輸運(yùn)的MD模擬
2 MD模擬及熱導(dǎo)率計(jì)算方法
2.1 MD模擬基本理論
2.1.1 初始化
2.1.2 邊界條件
2.1.3 系綜理論
2.1.4 運(yùn)動(dòng)方程的數(shù)值積分
2.2 MD模擬基本流程
2.3 相互作用勢(shì)函數(shù)
2.3.1 兩體勢(shì)
2.3.2 多體勢(shì)
2.3.3 機(jī)器學(xué)習(xí)勢(shì)
2.4 MD模擬計(jì)算熱導(dǎo)率方法
2.4.1 EMD模擬方法
2.4.2 NEMD模擬方法
2.4.3 HNEMD模擬方法
2.5 基于GPU加速的高效MD模擬程序
3 熱輸運(yùn)EMD模擬方法的應(yīng)用發(fā)展
3.1 EMD模擬計(jì)算有限體系熱導(dǎo)率的新應(yīng)用
3.1.1 模擬方法及設(shè)置
3.1.2 模擬細(xì)節(jié)
3.1.3 模擬結(jié)果與討論
3.2 有限體系下來自EMD和NEMD 等效的熱導(dǎo)率模擬
3.2.1 模型與理論方法
3.2.2 勢(shì)函數(shù)訓(xùn)練
3.2.3 模擬結(jié)果與討論
3.3 本章小結(jié)
4 晶界、超晶格和具有范德華相互作用復(fù)雜結(jié)構(gòu)的傳熱機(jī)理分析
4.1 石墨烯/h-BN異質(zhì)結(jié)構(gòu)界面的熱輸運(yùn)性能
4.1.1 石墨烯/h-BN晶界模型
4.1.2 NEMD模擬設(shè)置及細(xì)節(jié)
4.1.3 光譜分解和量子修正
4.1.4 界面Kapitza熱導(dǎo)
4.1.5 熱整流效果
4.2 石墨烯晶界超晶格相干熱輸運(yùn)性能的研究
4.2.1 晶體相場(chǎng)模型
4.2.2 模擬方法及細(xì)節(jié)
4.2.3 HNEMD方法的驗(yàn)證
4.2.4 相干和非相干聲子輸運(yùn)
4.2.5 沿著晶界方向的聲子相干輸運(yùn)
4.3 C60封裝CNTs熱輸運(yùn)性能的研究
4.3.1 SWCNT和納米豌豆模型
4.3.2 MD模擬細(xì)節(jié)

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