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當(dāng)前位置: 首頁出版圖書科學(xué)技術(shù)工業(yè)技術(shù)一般工業(yè)技術(shù)絕緣層表面能對(duì)有機(jī)晶體管遷移率的調(diào)控分析及應(yīng)用

絕緣層表面能對(duì)有機(jī)晶體管遷移率的調(diào)控分析及應(yīng)用

絕緣層表面能對(duì)有機(jī)晶體管遷移率的調(diào)控分析及應(yīng)用

定 價(jià):¥69.00

作 者: 周淑君
出版社: 冶金工業(yè)出版社
叢編項(xiàng):
標(biāo) 簽: 暫缺

ISBN: 9787502496234 出版時(shí)間: 2023-08-01 包裝: 平裝
開本: 16開 頁數(shù): 115 字?jǐn)?shù):  

內(nèi)容簡(jiǎn)介

  本書主要介紹了通過分析在不同 緣層制備的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能,得出 緣層與半導(dǎo)體層表面能匹配可以提高場(chǎng)效應(yīng)遷移率的規(guī)律。全書共4章,具體內(nèi)容包括:有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)介及發(fā)展現(xiàn)狀分析,Ph5T2單晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備及其性能分析,表面能匹配對(duì)于不同單晶材料普適性的討論,以及利用表面能匹配為指導(dǎo)制備高遷移率DNTT單晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管等。本書可供從事有機(jī)半導(dǎo)體材料合成和性能研究的技術(shù)開發(fā)和科研人員閱讀,也可供從事有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管制備及其應(yīng)用的科研院所師生參考。

作者簡(jiǎn)介

暫缺《絕緣層表面能對(duì)有機(jī)晶體管遷移率的調(diào)控分析及應(yīng)用》作者簡(jiǎn)介

圖書目錄

1 緒論
1.1 場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡(jiǎn)介
1.1.1 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本原理
1.1.2 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本參數(shù)
1.1.3 場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本構(gòu)型
1.1.4 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢(shì)
1.1.5 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的發(fā)展現(xiàn)狀
1.2 有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管
1.2.1 有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢(shì)
1.2.2 有機(jī)薄膜的制備方法
1.2.3 有機(jī)薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備方法和發(fā)展現(xiàn)狀
1.3 有機(jī)單晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管
1.3.1 有機(jī)單晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管的優(yōu)勢(shì)
1.3.2 有機(jī)單晶的生長(zhǎng)方法
1.3.3 有機(jī)單晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備方法和發(fā)展現(xiàn)狀
1.4 半導(dǎo)體/ 緣層的界面性質(zhì)對(duì)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能的影響
1.4.1 有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的界面工程
1.4.2 緣層的性質(zhì)對(duì)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能的影響
1.4.3 緣層的表面能對(duì)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能的影響
參考文獻(xiàn)
2 Ph5T2單晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備及其性能分析
2.1 Ph5T2單晶的生長(zhǎng)及表征
2.1.1 Ph5T2單晶的生長(zhǎng)
2.1.2 Ph5T2單晶的表征
2.2 緣層的制備及表征
2.2.1 緣層的選擇及制備
2.2.2 緣層的表征
2.3 緣層性質(zhì)對(duì)Ph5T2單晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能的影響
2.3.1 Ph5T2單晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備及表征
2.3.2 Ph5T2材料表面能的計(jì)算及選取
2.3.3 緣層性質(zhì)對(duì)Ph5T2單晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管性能的影響
2.3.4 半導(dǎo)體和 緣層表面能及其分量匹配提高遷移率的機(jī)理分析
2.4 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
3 表面能匹配對(duì)于不同單晶材料普適性的討論
3.1 并五苯單晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管
3.1.1 并五苯單晶的生長(zhǎng)及表征
3.1.2 并五苯單晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備及表征
3.1.3 并五苯表面能的計(jì)算及選取
3.1.4 緣層表面能對(duì)并五苯單晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件性能的影響
3.2 酞菁鋅單晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管
3.2.1 酞菁鋅單晶的生長(zhǎng)及表征
3.2.2 酞菁鋅單晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備及表征
3.2.3 酞菁鋅表面能的計(jì)算及選取
3.2.4 緣層表面能對(duì)酞菁鋅單晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件性能的影響
3.3 表面能及其分量匹配與其他實(shí)驗(yàn)結(jié)論的兼容
3.4 不同半導(dǎo)體和 緣層表面能的匯總
3.5 本章小結(jié)
參考文獻(xiàn)
4 高遷移率DNTT單晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制備

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